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新闻动态

新闻|weekly news

来源:网络   作者:网络    发布时间: 2021-07-22 11:27   浏览:

1.2021上半年中国集成电路产品产量情况
 
统计局的数据指出,今年六月,中国集成电路产量达到308亿片,创下单月新高,同比增长43.9%,超过5月份299亿片的纪录。这一数字标志着中国首次在一个月内平均每天生产10亿个半导体单元。 
国家统计局数据显示,上半年,我国集成电路生产总量为1712亿片,同比增长48.1%。 
尽管产量创纪录,但仅中国生产的芯片仍不足以满足当地半导体需求。海关总署公布的数据显示,今年前六个月,中国进口半导体器件超过3100亿,比2020年同期增长29%。仅在6月份,中国就进口了519亿片半导体,几乎是中国国内产量的两倍。 
最新数据说明世界第二大经济体如何继续全力以赴追求半导体自给自足,但由于中国继续严重依赖进口来满足国内需求,它仍然容易受到针对使用美国技术生产的芯片的制裁。尽管如此,中国的芯片生产商继续全力以赴以保持创纪录的产量,3月和4月分别为291亿片和287亿片。 
本月早些时候的一份报告显示,今年前五个月,中国新注册的芯片相关企业高达1.57万家这一数字是2020年同期的三倍多。
新芯片公司和产量激增的背后是该行业的一波投资浪潮,这部分归功于国内的补贴和其他激励措施。 
 (来源:jssia整理)
 
 
2. 烨映微拟创业板ipo
 
近日,深交所正式受理了上海烨映微电子科技股份有限公司(以下简称:烨映微)创业板上市申请。 
据了解,烨映微专注于mems红外热电堆传感器的研发、设计与销售,是一家红外传感器及技术电玩城捕鱼的解决方案提供商。 
2018-2020年,烨映微实现营业收入分别为1479.02万元、3244.95万元、66203.36万元;对应的净利润分别为296.37万元、844.36万元、38432.12万元。无论是营收还是净利润,均实现翻倍增长。 
招股书显示,烨映微此次ipo拟募资9.03亿元,投建于mems红外热电堆传感器生产建设项目、技术研发中心建设项目以及补充运营资金。 
其中,mems红外热电堆传感器生产建设项目拟在现有公司业务的基础上,对mems红外热电堆传感器进行技术升级,开发或升级数字单点红外热电堆传感器、阵列红外热电堆传感器、基板封装红外热电堆传感器,实现红外热电堆传感器的小型化和集成化,提高红外热电堆传感器的精度、稳定性、可靠性和探测距离,实现传感器信号的数字化输出,便于下游的规模化应用。 
该项目通过购置场地与先进的软硬件设备,招聘研发人员,掌握mems 红外热电堆传感器核心生产工艺,为公司产品向高性能升级、新工艺产业化、提升产能奠定基础。项目建成后将提高公司技术研发与产品开发水平,满足下游不同应用领域客户的个性化需求,开拓更多客户资源,扩大市场份额。 
技术研发中心建设项目通过建立研发实验场地,采购先进的研发、测试设备,引进高层次研发人员,以行业新技术和前瞻产品布局为主要研发方向,提升自主创新及研发能力,推动公司产品向高技术含量、高附加值、高成长性的方向发展。本次募投项目的建设将进一步增强公司在红外传感器领域的技术创新能力,通过高水平研发中心的建设,为公司持续研发技术领先的产品提供保障。 
(来源:集微网/jssia整理)
 
 
3. 英特尔将斥巨资在欧盟建芯片厂
 
日前英特尔宣布,拟投资200亿美元(约合人民币1296亿元),在多个欧盟成员国建造芯片工厂。 
目前英特尔正在游说,争取获得欧盟对此项目的支持。 
近来全球芯片掀起大规模缺货潮,多家车商产线停摆,汽车工业大国德国甚至致函中国台湾,希望台积电能为陷入困境的汽车业增产,这也凸显出欧洲过度仰赖半导体进口的问题。对此,欧盟大力发展半导体产业,希望2030年前,要让全球至少20%的先进半导体在欧洲生产。 
值得注意的是,早在今年4月,欧盟负责工业事务的执委 thierry breton 就与英特尔执行长就欧洲设厂和合作关系,进行了会议商讨。 
英特尔执行长pat gelsinger在今年2月接任职位后,便宣告将让英特尔重返芯片制造领域的领导地位。所谓新官上任三把火,gelsinger首先大笔一挥,斥资200亿美元在美国投建了 2 座新厂,而后表示将加速欧洲地区投资,扩建爱尔兰现有工厂。此前,gelsinger就表示不排除未来于欧洲再建新厂。 
4月23日,英特尔公布了2021年第一季度财报,净利润33.61亿美元,同比下滑了41%;毛利率55.2%,与去年同期相比下滑了5.4%。对于第二季度,英特尔预计营收将达到189亿美元,毛利率55%。
(来源:拓墣产业研究)
 
 
4. 中芯国际拟扩建5.5万片晶圆产能
 
7月7日,中芯国际在互动平台表示,目前集成电路芯片制造供不应求。公司2021年一季度整体产能利用率达到98.7%。根据公司今年的capex支出计划,拟扩建1万片12英寸和4.5万片8英寸晶圆的产能,以满足更多的客户需求。 
中芯国际指出,2021年一季度整体产能利用率为98.7%。集成电路行业有其波动周期,公司会根据业界供求关系的变化,经与客户良好沟通,进行相应的价格调整。 
此外,截至2021年3月31日, 公司月产能折算成 8英寸晶圆为54万片。公司不分开披露8英寸和12英寸晶圆的产能。 
2021年上半年以来,全球半导体行业景气度持续上升,产能短缺、“芯片荒”及涨价缺货现象已经深度影响多个行业。 
现阶段半导体产能在下游需求不断增长,短期产能扩张无法跟上激增的需求的情况下供需格局持续紧张,并且缺芯的持续时间可能超预期;目前产业链景气度持续高涨,除了涨价之外,供需紧张的格局使得几乎所有的半导体产品都面临不同程度上的货期延长,其中成熟制程的需求十分高涨。
为了解决芯片紧缺,满足旺盛需求,中芯国际此前已经加大产能布局,公司已经在北京、深圳建设28nm及以上芯片生产线项目。 
(来源:拓墣产业研究)
 
 
5. 上海新阳自研krf厚膜光刻胶产品通过客户认证
 
6月30日,上海新阳半导体材料股份有限公司(以下简称“上海新阳”)发布公告称,公司自主研发的krf(248nm)厚膜光刻胶产品近日已通过客户认证,并成功取得第一笔订单。 
上海新阳表示,本次产品认证的通过及订单的取得,标志着“krf(248nm)厚膜光刻胶产品的开发和产业化”取得了成功,为上海新阳在光刻技术领域目标的全面完成奠定了坚实基础。 
据悉,光刻技术是上海新阳正在加快开发的第三大核心技术,并且已经取得了重大突破。此前的年报显示,上海新阳集成电路制造用arf干法、krf厚膜胶、i线等高端光刻胶验证工作正在稳步推进,部分光刻胶产品已取得优异的线外测试数据。 
(来源:全球半导体观察/jssia整理)
 
 
6. 拓荆科技科创板ipo获受理
 
6月28日,上交所正式受理了拓荆科技股份有限公司(以下简称:拓荆科技)科创板上市申请。 
拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务,聚焦于半导体薄膜沉积设备。 
2018年至2021年第一季度,拓荆科技实现营业收入分别为7,064.40万元、25,125.15万元、43,562.77万元和5,774.10万元;同期净利润分别为-10,322.29万元、-1,936.64万元、-1,169.99万元及-1,058.92万元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为-14,993.05万元、-6,246.63万元、-5,711.62万元和-2,400.90万元。 
拓荆科技表示,报告期内尚未实现盈利,主要由于半导体设备行业技术含量高,研发投入大,产品验证周期长,公司持续进行了大量的研发投入。报告期内,拓荆科技研发费用分别为10,797.31万元、7,431.87万元、12,278.18万元和2,714.86万元,占各期营业收入的比例为152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。 
拓荆科技本次募资10亿元,用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ald设备研发与产业化项目和补充流动资金。 
高端半导体设备扩产项目将在公司现有的半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。二期洁净厂房建设主要为千级洁净厂房,设计规模为2,600平方米左右。 
先进半导体设备的技术研发与改进项目研发内容主要包括面向28nm-10nm制程pecvd设备的多种工艺型号开发、面向10nm以下制程pecvd设备的平台架构研发及uvcure系统设备研发。基于公司已研发的面向28nm-10nm制程的pecvd设备平台架构,开展主要包括lokⅱ、adcⅰ、htachm、高应力sin及α-si等不同薄膜材料的新工艺型号开发,形成先进工艺技术能力和量产能力;基于公司pecvd设备技术积累,开展应用于10nm以下技术节点的pecvd设备平台架构研发,先行完成sio2、sin等薄膜材料的工艺型号开发;基于公司对薄膜沉积设备及多种薄膜材料工艺研发积累,开展沉积后辅助以紫外线处理的uvcure系统设备研发。通过在集成电路生产厂商进行生产线验证,实现产品的产业化,进一步提升产品技术水平和拓展产品应用领域,推动公司业务规模的持续增长。 
ald设备研发与产业化项目拟在上海临港新片区购置整体厂房,进行装修改造,购置研发设备及生产设备,建设新的研发及生产环境,项目实施主体为公司全资子公司拓荆上海。项目建成后,将作为发行人ald产品研发及产业化基地。项目拟通过开展系列技术研发,基于公司现有ald设备技术基础,开发面向28nm-10nm制程的ald设备平台架构,发展多种工艺机型,同步开发不同腔室数量的机台型号,满足逻辑芯片、存储芯片制造不同的工艺需求,并进行规模化量产。 
(来源:集微网/jssia整理)
 


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